V.Yu. Chalkov: шукати на сайті Z-Library

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 253 KB

english, 2000

Properties of Silicon Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, G. N. Gorshenin, D. V. Shengurov, S. A. Denisov

Журнал:

A. G. Spivakov, L. V. Krasil’nikova, M. V. Stepikhova, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 66 KB

english, 2005

Luminescence and electrical properties of diode Si/SiGe:Er/Si heterostructures

Журнал:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 2008

Morphology and photoluminescence of self-assembled GeSi/Si nanoclusters grown by sublimation molecular-beam epitaxy in a GeH4ambient

D. O. Filatov, M. V. Kruglova, M. A. Isakov, S. V. Siprova, M. O. Marychev, V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov

Журнал:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 208 KB

english, 2008

Doping of silicon layers from a sublimating erbium source in molecular beam epitaxy

S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, E. A. Uskova, G. A. Maksimov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil’nik, M. V. Stepikhova, H. Ellmer

Журнал:

Technical Physics Letters

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 45 KB

english, 2000

Simultaneous doping of silicon layers with erbium and oxygen in the course of molecular-beam epitaxy

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, G. A. Maksimov, Z. F. Krasil’nik, B. A. Andreev, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov, L. Palmetshofer, H. Ellmer

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 147 KB

english, 2001

Luminescent Si-Ge solid solution layers ER-doped in molecular-beam epitaxy

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil’nik, B. Ya. Ber, Yu. N. Drozdov, A. N. Yablonsky

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 62 KB

english, 2002

Structural and photoluminescence properties of heteroepitaxial silicon-on-sapphire layers

S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, L. V. Krasil’nikova, M. V. Stepikhova, D. A. Pavlov, T. V. Pavlova, P. A. Shilyaev, A. F. Khokhlov

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 186 KB

english, 2004

Effect of growth conditions on photoluminescence of erbium-doped silicon layers grown using sublimation molecular-beam epitaxy

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil’nik, D. I. Kryzhkov

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 115 KB

english, 2004

Heteroepitaxy of erbium-doped silicon layers on sapphire substrates

V. G. Shengurov, D. A. Pavlov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, P. A. Shilyaev, M. V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 158 KB

english, 2005

Analysis of the gain and luminescence properties of Si/Si1−xGx: Er/Si heterostructures produced by sublimation molecular-beam epitaxy in a gas phase

L. V. Krasil’nikova, M. V. Stepikhova, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. B. Gusev

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 80 KB

english, 2005

Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures

M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil’nik

Журнал:

JETP Letters

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 59 KB

english, 2005

Structural perfection of heteroepitaxial silicon layers grown on sapphire by sublimation-source molecular beam epitaxy

S. A. Denisov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, D. A. Pavlov, E. V. Korotkov, E. A. Pitirimova, V. N. Trushin

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 243 KB

english, 2007

Photoluminescence of self-forming nanoclusters grown in GeSi/Si heterostructures by sublimating molecular beam epitaxy in GeH4medium

D. O. Filatov, M. V. Kruglova, M. A. Isakov, S. V. Siprova, M. O. Marychev, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 347 KB

english, 2008

Sapphire surface preparation for the growth of silicon layers by molecular-beam epitaxy

S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, D. A. Pavlov, E. A. Pitirimova

Журнал:

Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.24 MB

english, 2010

Photoelectric properties of the GeSi/Si heterostructures with self-assembled nanoclusters grown by sublimation molecular beam epitaxy in a GeH4medium

D. O. Filatov, M. V. Kruglova, M. A. Isakov, A. P. Gorshkov, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 300 KB

english, 2009

Methods for the doping of silicon layers in growth by sublimation MBE

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, D. V. Shengurov, S. A. Denisov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 236 KB

english, 2006

Photoluminescence of GeSi/Si nanoclusters formed by sublimation molecular-beam epitaxy in GeH4medium

D. O. Filatov, M. V. Kruglova, M. A. Isakov, S. V. Siprova, M. O. Marychev, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov

Журнал:

V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, D. V. Shengurov, S. A. Denisov

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 353 KB

english, 2008

Growth ofn-Si layers by molecular-beam epitaxy on the substrates heavily doped with boron

Журнал:

L. V. Krasilnikova, M. V. Strepikhova, N. A. Baidakova, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 227 KB

english, 2009

Optically active centers in Si/Si1 −xGex:Er heterostructures containing Er3+ions

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 248 KB

english, 2009

Confocal Raman microscopy of self-assembled GeSi/Si(001) Islands

A. I. Mashin, A. V. Nezhdanov, D. O. Filatov, M. A. Isakov, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 932 KB

english, 2010

Investigation of the local density of states in self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands by combined scanning tunneling and atomic-force microscopy

P. A. Borodin, A. A. Bukharaev, D. O. Filatov, M. A. Isakov, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, Yu. A. Denisov

Журнал:

Technical Physics Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 705 KB

english, 2011

Boron doping of Si1 −xGex/Si heterostructures grown by silicon sublimation in germane medium

V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, D. V. Shengurov, R. Kh. Zhukavin, M. N. Drozdov

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 169 KB

english, 2011

Si/Si1 −xGex: Er/Si(100) heterostructures grown by sublimation of silicon in germane gas atmosphere

S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, V. N. Shabanov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil’nik, L. V. Krasil’nikova, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov, Yu. N. Drozdov

Журнал:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 188 KB

english, 2007

Optically active Er3+centers in Si/Si1 −xGexstructures under optical pumping

L. V. Krasilnikova, N. A. Baidakova, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasilnik, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov

Журнал:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 182 KB

english, 2009

A Sublimation Silicon Molecular-Beam Epitaxy System

S. P. Svetlov, V. G. Shengurov, V. A. Tolomasov, G. N. Gorshenin, V. Yu. Chalkov

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 40 KB

english, 2001

Erbium Segregation in Silicon Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, G. A. Maksimov, Z. F. Krasil'nik, B. A. Andreev, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 43 KB

english, 2002

Erbium and Germanium Profiles in Si1 – xGexLayers Grown by Silicon Sublimation-Source Molecular-Beam Epitaxy in GeH4

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, B. Ya. Ber, Yu. N. Drozdov

Журнал:

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, A. G. Meshkov

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 33 KB

english, 2003

Erbium Vaporization from Silicon in Vacuum

Журнал:

V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. A. Tolomasov, V. Yu. Chalkov

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 86 KB

english, 2003

A Substrate Heater for an Ultrahigh Vacuum

Журнал:

D. V. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov…

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 30 KB

english, 2004

Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms

Журнал:

S. A. Matveev, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, V. N. Trushin, E. A. Pitirimova

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 413 KB

english, 2013

Structure and surface morphology of Si1 —xGexlayers grown on Si/sapphire by molecular beam epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source

Журнал:

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2013

Si1 −xGex/Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates

Denisov, S. A., Matveev, S. A., Chalkov, V. Yu., Shengurov, V. G., Drozdov, Yu. N., Stepikhova, M. V., Shengurov, D. V., Krasilnik, Z. F.

Журнал:

Technical Physics Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 348 KB

english, 2014

Thin single-crystal Ge layers on 2″ Si substrates

Shengurov, V. G., Denisov, S. A., Chalkov, V. Yu., Buzynin, Yu. N., Drozdov, M. N., Buzynin, A. N., Yunin, P. A.

Журнал:

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.39 MB

english, 2015

Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium

Filatov, D. O., Gorshkov, A. P., Volkova, N. S., Guseinov, D. V., Alyabina, N. A., Ivanova, M. M., Chalkov, V. Yu., Denisov, S. A., Shengurov, V. G.

Журнал:

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 874 KB

english, 2015

Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique

Shengurov, V. G., Chalkov, V. Yu., Denisov, S. A., Alyabina, N. A., Guseinov, D. V., Trushin, V. N., Gorshkov, A. P., Volkova, N. S., Ivanova, M. M., Kruglov, A. V., Filatov, D. O.

Журнал:

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 828 KB

english, 2015

Epitaxially Grown Monoisotopic Si, Ge, and Si1–xGexAlloy Layers: Production and Some Properties

Detochenko, A. P., Denisov, S. A., Drozdov, M. N., Mashin, A. I., Gavva, V. A., Bulanov, A. D., Nezhdanov, A. V., Ezhevskii, A. A., Stepikhova, M. V., Chalkov, V. Yu., Trushin, V. N., Shengurov, D. V.

Журнал:

Journal of Physics Conference Series

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 412 KB

english, 2016

High-quality Ge epilayers grown on a Si substrate in one step process via hot wire chemical vapor deposition

Denisov, S A, Matveev, S A, Chalkov, V Yu, Shengurov, V G

Журнал:

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 947 KB

english, 2016

A device for heating a substrate during molecular beam epitaxy

Shengurov, V. G., Denisov, S. A., Svetlov, S. P., Chalkov, V. Yu., Shengurov, D. V.

Журнал:

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 359 KB

english, 2016

Conditions of growth of high-quality relaxed Si1–xGexlayers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire

Shengurov, V. G., Chalkov, V. Yu., Denisov, S. A., Matveev, S. A., Nezhdanov, A. V., Mashin, A. I., Filatov, D. O., Stepikhova, M. V., Krasilnik, Z. F.

Журнал:

Shengurov, V. G., Denisov, S. A., Chalkov, V. Yu., Shengurov, D. V.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 365 KB

english, 2016

A silicon sublimation source for molecular-beam epitaxy

Журнал:

D. O. Filatov,I. A. Kazantseva,V. G. Shengurov,V. Yu. Chalkov…

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.17 MB

english, 2016

Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Sip–nphotodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy

Журнал:

S. A. Denisov,S. P. Svetlov,V. Yu. Chalkov…

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 445 KB

english, 2017

A device for growing silicon films on standard wafers using a sublimation source

Журнал:

Filatov, D. O., Guseinov, D. V., Chalkov, V. Yu., Denisov, S. A., Shengurov, V. G.

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 270 KB

english, 2015

Ballistic Hole Emission Spectroscopy of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands

Журнал:

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 978 KB

english, 2018

Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers

Ivanova, M. M., Kachemtsev, A. N., Mikhaylov, A. N., Filatov, D. O., Gorshkov, A. P., Volkova, N. S., Chalkov, V. Yu., Shengurov, V. G.

Журнал:

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 324 KB

english, 2018

Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate

Sushkov, A. A., Pavlov, D. A., Shengurov, V. G., Denisov, S. A., Chalkov, V. Yu., Baidus, N. V., Rykov, A. V., Kryukov, R. N.

Журнал:

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.04 MB

english, 2019

Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers

Prokhorov, D. S., Shengurov, V. G., Denisov, S. A., Filatov, D. O., Zdoroveishev, A. V., Chalkov, V. Yu., Zaitsev, A. V., Ved’, M. V., Dorokhin, M. V., Baidakova, N. A.

Журнал:

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 252 KB

english, 2019

Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition

Shengurov, V. G., Filatov, D. O., Denisov, S. A., Chalkov, V. Yu., Alyabina, N. A., Zaitsev, A. V.

Журнал: